El ancho de banda prohibido ultra amplio del diamante permite la emisión de luminiscencia desde defectos de nivel de energía profundo en la banda prohibida sin absorción, lo que da como resultado una serie de centros de color inducidos por defectos, como centros de vacancia de nitrógeno (NV) o de vacancia de silicio (SiV), que tienen niveles de energía discretos similares a los de los "átomos individuales". La altísima estabilidad de los centros de color NV a temperatura ordinaria, junto con la excelente inmunidad al ruido y a las interferencias del diamante, hacen que el diamante sea muy adecuado para el procesamiento de información cuántica particularmente preciso, la comunicación cuántica y la computación cuántica.
| Propiedades | |
| Contenido de nitrógeno | <20 ppb |
| Conductividad Térmica | >2000 W/mK |
| Estándar de proceso | |
| Orientación cristalográfica | 100 110 111 |
| Corte incorrecto para la orientación de la cara principal | ± 3 ° |
| Tamaño de producto común | Dentro de 10 mm × 10 mm × 2 mm |
| Tolerancia transversal | ± 0.05mm |
| Tolerancia de espesor | ± 0.1mm |
| rugosidad de la superficie | <10 nm |
| Corte de bordes | Corte por láser |
Diamantes cultivados en laboratorio, de colores blancos y elegantes, en varios tamaños y formas;
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