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電子グレードダイヤモンド

単結晶CVDダイヤモンド

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製品の説明

ダイヤモンドは優れた電気特性を持ち、帯域幅は最大5.5 eV、抵抗率は1 × 10以上です。 12Ω・m、および5.5までの誘電率を持ちます。これは非常に厳しい放射線環境での検出材料として使用できます。同時に、高耐圧、大周波数、低コスト、低電力損失、高温抵抗といった複数の優れた性能パラメータに基づき、CVDダイヤモンドは次世代の高出力、高周波、高効率電子デバイスを作るための最も有望な材料と考えられ、業界では「究極の半導体」材料とされています。

仕様

特性
窒素含有量 <20 ppb
熱伝導性 >2000 W/mK
プロセス標準
結晶方位 100 110 111
主面方位のミスカット ±3°
共通製品サイズ 5mm×5mm×0.5mm以内
横方向公差 ±0.05mm
厚さ容量 ±0.1mm
表面粗さ <10nm
エッジカット レーザー切断

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